Электроника в вопросах и ответах
Шрифт:
Нулевое значение коллекторного тока Iк достигается при небольшом напряжении Uкб противоположной полярности, т. е. при смещении коллекторного перехода в проводящем направлении.
Если при снятии характеристики Iк = ·(Uкб) в измерительной схеме поддерживается постоянным ток Iэ, то ток Iэ является в этом случае параметром. Для транзистора типа n-р-n напряжение Uкб и ток коллектора положительны, а для транзистора типа р-n-р — отрицательны [11] .
11
К
По приведенной на рис. 4.11 характеристике можно простым способом определить коэффициент передачи тока h21Б как отношение приращения тока коллектора Iк к приращению тока эмиттера Iэ при постоянном напряжении коллектор-база (Uкб = const). Для Uкб = 0
Из этих характеристик можно также определить параметр h22б или выходную проводимость схемы ОБ, а именно:
Рис. 4. 11. Статические выходные характеристики транзистора в схеме ОБ
Что такое схема с общим эмиттером и каковы ее свойства?
Схема ОЭ наиболее часто используется на практике, особенно при работе транзистора в качестве усилителя. В этой схеме входной сигнал подводится между базой и эмиттером, а нагрузка включается между коллектором и эмиттером (рис. 4.12, а). Наиболее часто используемой физической моделью или эквивалентной схемой для транзистора ОЭ является П-образная гибридная схема, представленная на рис. 4.12, б, которая отражает малосигнальные свойства транзистора в достаточно широком интервале изменений условий работы и частоты. Некоторые из элементов этой модели такие же как и для схемы ОБ. Проводимость gб'к совместно с емкостью Сб'к определяет обратную связь с выхода на вход схемы. Проводимость gкэ определяет выходное сопротивление схемы. Параметр S называется внутренней крутизной транзистора или взаимной проводимостью и выражается зависимостью
S = iк/uбэ
Внутренняя крутизна S обычно равна нескольким десяткам миллиампер на вольт.
Предельная частота fгр схемы ОЭ определяет ту частоту, на которой коэффициент h21э уменьшается на 3 дБ
fгр = fh11·(1 — h21б) = fh11/(1 + h21э)
Схема ОЭ в виде четырехполюсника с h– параметрами представлена на рис. 4.12, в. Если известны h– параметры для схемы ОБ, то можно путем пересчета получить h– параметры для схемы ОЭ:
h11э ~= h21э·h11б; h21э = h21б/(1 — h21б); h22э = h21э·h22б
Рис. 4.12.
Для определения параметров схемы ОЭ, используемой в качестве усилителя, возбуждаемого от источника сопротивлением Rг и нагруженного сопротивлением Rк (рис. 4.12, а), воспользуемся следующими соотношениями:
uбэ = h11б·iэ = (1 + h21э)·h11б·iб;
uкэ = iк·Rк
Тогда усиление по напряжению
КUЭ = uкэ/uбэ = h21э·Rк/h11э ~= Rк/h11б
а усиление по току, как уже было известно, равно КIЭ = h21э
Входное сопротивление
rвх ~= (1 + h21э)·h11б ~= h11э
включено параллельно Rб.
Основные свойства схемы ОЭ в сравнении со схемами ОБ и ОК можно свести к следующим: большое усиление по напряжению (возможно не менее 1000), большое усиление по току (возможно не менее 30), очень большое усиление по мощности (возможно не менее 30 000), среднее входное сопротивление (около 2 кОм), среднее или большое выходное сопротивление (примерно 100 кОм).
Какие статические характеристики транзистора в схеме ОЭ?
Типичными статическими характеристиками транзистора в схеме ОЭ являются: выходная характеристика рис. 4.13, а — зависимость тока коллектора Iк от напряжения при постоянном напряжении Uбэ или токе Iб [12] и входная характеристика (рис. 4.13, б) — зависимость тока базы Iб от напряжения Uбэ при постоянном напряжении Uкэ, выбранном в качестве параметра.
12
В отечественной литературе статические характеристики транзистора Iк = ·(Uкэ) приводятся чаще в зависимости от значения тока базы Iб — Прим. ред.
Рис. 4.13. Статические характеристики транзистора в схеме ОЭ:
а — выходные; б — входные
Как видно из выходных характеристик, ток коллектора начинает появляться уже при очень небольших значениях напряжения Uкэ, смещающего коллекторный переход в запирающем направлении, и быстро достигает значения, выше которого возрастает уже незначительно. При токе базы, равном нулю, в цепи коллектора протекает обратный ток коллектора