Иоффе Абрам Федорович. Помощник Рентгена Вильгельма Конрада
Шрифт:
В 1952–1955 годах возглавлял лабораторию полупроводников АН СССР. В 1954 на основе лаборатории организован Институт полупроводников АН СССР. В 1964 – перед зданием ЛФТИ установлен памятник А. Иоффе. На зданиях, где работал Абрам Иоффе, установлены мемориальные доски.
Автор работ по экспериментальному обоснованию теории света (1909–1913), физике твердого тела, диэлектрикам
Заслуженный деятель науки РСФСР (1933), лауреат Сталинской премии (1942), Ленинской премии (посмертно, 1961). Герой Социалистического Труда (1955).
Абрам Федорович скончался 14 октября 1960 г., две недели не дожив до своего 80-летия.
В честь Абрама Иоффе был назван кратер Иоффе на Луне и научно-исследовательское судно «Академик Иоффе».
Биография:
Иоффе Абрам Федорович [17(29).10.1880, Ромны Полтавской губернии, – 14.10.1960, Ленинград], советский физик, академик АН СССР (1920; член-корреспондент 1918), вице-президент АН СССР (1926-29, 1942-45), Герой Социалистического Труда (1955). Член КПСС с 1942. В 1902 окончил Петербургский технологический институт и в 1905 Мюнхенский университет. В 1903-06 работал ассистентом В. К. Рентгена в Мюнхене, где получил ученую степень доктора философии. С 1906 в Петербургском (с 1924 – Ленинградский) политехническом институте (в 1913-48 профессор). В 1913 ему была присвоена ученая степень магистра физики, а в 1915 за исследование упругих и электрических свойств кварца – степень доктора физики. С 1918 руководитель организованного по его предложению физико-технического отдела Государственного рентгенологического и радиологического института в Петрограде, а затем до 1951 директор Физико-технического института АН СССР, созданного на основе этого отдела. С 1952 директор Лаборатории полупроводников, с 1955 – Института полупроводников АН СССР. С 1932 Иоффе – директор Физико-агрономического института, также организованного по его инициативе. По инициативе И. и при его участии были созданы физико-технические институты в
В 1913 Иоффе установил статистический характер вылета отдельных электронов при внешнем фотоэффекте. Иоффе совместно с М. В. Кирпичевой впервые выяснил механизм электропроводности ионных кристаллов (1916–1923). Совместно с сотрудниками Кирпичевой и М. А. Левитской в 1924 получил важные результаты в области прочности и пластичности кристаллов. Было также показано, что прочность твердых тел повышается в сотни раз при устранении поверхностных микроскопических дефектов; это привело к разработке высокопрочных материалов (1942-47). В исследованиях Иоффе разработан рентгеновский метод изучения пластической деформации. В 1931 Иоффе впервые обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов для электроники и предпринял их всестороннее исследование. Им (совместно с А. В. Иоффе) была создана методика определения основных величин, характеризующих свойства полупроводников. Исследование Иоффе и его школой электрических свойств полупроводников (1931-40) привело к созданию их научной классификации. Эти работы положили начало развитию новых областей полупроводниковой техники – термо – и фотоэлектрических генераторов и термоэлектрических холодильных устройств. В 1942 удостоен Государственной премии за исследования в области полупроводников. Важнейшая заслуга Иоффе – создание школы физиков, из которой вышли многие крупные советские ученые (А. П. Александров, Л. А. Арцимович, П. Л. Капица, И. К. Кикоин, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, Н. Н. Семенов, Я. И. Френкель и др.). Уделяя много внимания педагогическим вопросам, организовал новый тип физического факультета – физико-технический факультет для подготовки инженеров-физиков в Политехническом институте в Петрограде (1918). Награжден 3 орденами Ленина. В 1961 Иоффе посмертно присуждена Ленинская премия. Почетный член многих АН и научных обществ мира.
Основные произведения:
Физика кристаллов (1929 г.)
Физика полупроводников (1957 г.)
Основные представления современной физики (1949 г.)