Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам
Шрифт:
Чередование позволяет замаскировать циклы обновления. В результате возникает эффект конвейера, который существенно повышает пропускную способность.
Чередование банков работает только в том случае, если запрашиваемые адреса относятся к разным банкам. Если они находятся в одном банке памяти, операции по передаче данных выполняются без чередования. Процессор должен ждать завершения первой операции и обновления банка памяти, чтобы отправить в этот банк другой адрес.
Каждый модуль SDRAM делится на два или четыре банка памяти. Двойные модули SDRAM используют чипы 16 Мбит SDRAM (объемом 32 Мб или меньше) и имеют только
Если вы используете один двойной модуль SDRAM, настройте данную функцию на 2-Bank. Это единственное значение, которое доступно для одного двойного модуля SDRAM.
Если вы используете два и более двойных модуля SDRAM, вы можете использовать как значение 4-Bank, так и значение 2-Bank. Конечно, рекомендуем выбрать настройку 4-Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.
Если вы используете модули SDRAM с четырьмя банками памяти, вы можете использовать как значение 4-Bank, так и значение 2-Bank. Конечно, рекомендуем выбрать настройку 4-Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.
Если вы используете модули SDRAM с четырьмя банками памяти, то можете выбрать любую настройку чередования. Разумеется, рекомендуем остановиться на значении 4-Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.
Так как значение 4-Bank улучшает производительность при чередовании, мы советуем выбирать эту настройку, если ваша система ее поддерживает. Значение 2-Bank следует выбирать только в том случае, если система работает с одним двойным модулем SDRAM.
Обратите внимание: компания Award (сейчас входит в состав компании Phoenix Technologies) рекомендует отключить чередование банков SDRAM при использовании модулей 16 Мбит SDRAM. Причина состоит в том, что ранние модули 16 Мбит SDRAM нестабильно работают с чередованием. Все современные модули SDRAM поддерживают чередование без проблем.
SDRAM Bank-to-Bank Delay (Задержка при передаче данных между банками SDRAM)
Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.
Данная опция представляет собой настройку по времени устройства DDR для tRRD. Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.
Настройка этого параметра может различаться в зависимости от устройства DDR. Обычно производители DDR RAM указывают параметр tRRD (на основании того, как команды ACTIVATE ограничивают выбросы тока в устройстве). Если вы разрешите BIOS автоматически конфигурировать параметры DRAM, заданное производителем значение tRRD будет считано с чипа SPD (Serial Presence Detect – Распознавание последовательного присутствия). Вы можете настроить этот параметр вручную в соответствии с вашими предпочтениями.
При работе на обычном компьютере рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого
Обратите внимание: короткая задержка (2 цикла) работает с большинством устройств DDR DIMM, даже при частоте 133 МГц (266 МГц DDR). Но устройства DDR DIMM с частотой выше 133 МГц (266 МГц DDR) могут потребовать использования задержки 3 цикла. Если возможно, выбирайте значение 2 Cycles, чтобы обеспечить оптимальную производительность DDR DRAM. Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.
В мобильных устройствах (например, ноутбуках) рекомендуем использовать задержку в 3 цикла. Это позволит ограничить выбросы тока, вызванные активацией строк. Благодаря этому энергопотребление и рабочая температура устройства DDR будут снижены, что особенно полезно для пользователей мобильных устройств.
SDRAM Burst Len (Продолжительность операции SDRAM)
Обычные опции: 4, 8.
Данная функция является аналогом функции SDRAM Burst Length, только называется по-другому. Ее используют многие производители. Почему? Это знают только они.
Блоковые операции (burst transactions) повышают производительность SDRAM, так как данные читаются и записываются блоками с использованием только одного адреса столбца.
В такой операции только при первой передаче данных для чтения или записи учитывается начальная задержка, необходимая для активации столбца. Последующие операции в последовательности выполняются без задержки. Это позволяет намного быстрее считывать и записывать блоки данных.
Например, блоковая операция из четырех записей может включать задержки: 4-1-1-1. На выполнение четырех записей операции понадобится семь циклов.
Если же четыре записи не объединены в блоковую операцию, задержки будут стандартными: 4-4-4-4. На выполнение четырех записей операции понадобится 16 циклов, то есть на 9 циклов больше (или в два раза медленнее).
Функция BIOS SDRAM Burst Len позволяет вам управлять продолжительностью операции записи.
Если вы выберите значение 4, блоковая операция записи будет ограничена четырьмя QW.
Если вы выберите значение 8, блоковая операция записи будет ограничена восемью QW.
Так как начальное ожидание CAS фиксировано для каждой операции, увеличение время записи позволяет записать или считать больше данных с меньшей задержкой. Поэтому запись длиной 8 выполняется быстрее, чем запись длиной 4.
Например, если контроллер памяти записывает в память блок данных продолжительностью в восемь единиц, эту задачу он может решить с использованием одной блоковой операции в восемь единиц или с использованием двух стандартных операций в четыре единицы каждая. Для блоковой операции будут действовать задержки: 4-1-1-1-1-1-1-1, то есть на всю операцию потребуется 11 циклов.