Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам

Вонг Адриан

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка RAS Precharge Delay для него будет равна 4 циклам.

Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется для обновления RAS до активации другой строки. Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления

до 2 производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.

Однако времени обновления 2 может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.

Мы советуем вам уменьшить настройку опции SDRAM Trp Timing Value до 2, чтобы увеличить производительность. Если вы столкнетесь с проблемой стабильности системы, увеличьте значение параметра до 3 или 4.

SDRAM Trrd Timing Value (Значение SDRAM по времени Trrd)

Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.

Данная опция представляет собой настройку по времени устройства DDR для tRRD. Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR (даже для различных банков). Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

Настройка этого параметра может различаться в зависимости от устройства DDR. Обычно производители DDR RAM указывают параметр tRRD (на основании того, как команды ACTIVATE ограничивают выбросы тока в устройстве). Если вы разрешите BIOS автоматически конфигурировать параметры DRAM, заданное производителем значение tRRD будет считано с чипа SPD (Serial Presence Detect – Распознавание последовательного присутствия). Вы можете вручную настроить этот параметр в соответствии с вашими предпочтениями.

При работе на обычном компьютере мы рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Причина состоит в том, что обычный компьютер не ограничен в питании, и даже мощности обычного вентилятора должно хватить для того, чтобы устранить последствия повышения температуры, вызванного выбросами тока. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR при чтении и записи.

Обратите внимание: короткая задержка (2 цикла) работает с большинством устройств DDR DIMM, даже при частоте 133 МГц (266 МГц DDR). Но устройства DDR DIMM с частотой выше 133 МГц (266 МГц DDR) могут

потребовать использования задержки 3 цикла. Если возможно, выбирайте значение 2 Cycles, чтобы обеспечить оптимальную производительность DDR DRAM. Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.

В мобильных устройствах (например, ноутбуках) рекомендуем использовать задержку в 3 цикла. Это позволит ограничить выбросы тока, вызванные активацией строк. Благодаря этому энергопотребление и рабочая температура устройства DDR будут снижены, что особенно полезно для пользователей мобильных устройств.

SDRAM Write Recovery Time (Время восстановления при записи SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWR (Write Recovery Time – Время восстановления при записи) для модулей памяти.

Данная опция указывает задержку (в циклах) между завершением операции записи и моментом, когда активный банк может быть обновлен. Задержка необходима для того, чтобы гарантировать запись данных из буферов записи в ячейки памяти до обновления.

Если задержка слишком мала, банк сможет обновиться до того, как активный банк сохранит записанные данные в ячейках памяти. В результате данные будут потеряны или повреждены.

Обратите внимание: эта функция BIOS не указывает, сколько времени требуется банку для обновления. Она только определяет, сколько времени требуется банку, чтобы начать обновление после завершения операции записи.

Чем меньше задержка, тем раньше банк может быть обновлен для другой операции чтения/записи (производительность повышается). Однако при этом увеличивается риск повреждения данных во время записи в ячейки памяти.

По умолчанию используется значение 2 Cycles (2 цикла), которое соответствует спецификациям JEDEC для модулей памяти DDR200 и DDR266. Модули памяти DDR333 и DDR400 работают с настройкой 3 Cycles (3 цикла).

Рекомендуем выбрать значение 2 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR200 или DDR266, или значение 3 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR333 или DDR400. Вы можете уменьшить задержку, а в случае возникновения проблем – восстановить предыдущее значение.

SDRAM Write to Read Command Delay (Задержка команды записи SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWTR (Write Data In to Read Command Delay – Задержка команды при записи для чтения) для модулей памяти. Данная опция указывает минимальное количество циклов между последней операцией записи и следующей командой чтения для одного банка устройства DDR.

Обратите внимание: данная опция применяется только к тем командам чтения, которые следуют за операциями записи. Она не влияет на последующие операции чтения (как и на записи, следующие за операциями чтения).