Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии

Житяев Игорь

Использование метода с непрерывным сканирующим лазерным излучением позволило получить полосы монокристаллического кремния на слое SiO₂ с

размерами 100x10000 мкм. При этом в рекристаллизованном слое не обнаружена мозаичная структура, отсутствовали дефекты упаковки, двойники. Подвижность носителей заряда в этих слоях достигала 740 см²/В·с.

Недостатком процесса бокового эпитаксиального роста является достаточно узкий интервал значений мощности лазерного излучения, при котором наблюдается эпитаксиальный рост монокристаллического кремния без деградации слоя ПКК, лежащего на SiO₂. Это связано с тем, что после расплавления всего слоя ПКК условия теплоотвода в окнах SiO₂, где слой ПКК лежит на монокристаллической подложке кремния

и на поверхности SiO₂, различны. Поэтому с увеличением мощности лазерного излучения слой ПКК, лежащего на поверхности SiO₂, деградирует с образованием отдельных капель кремния [3].

2.3. Лазерная кристаллизация поликремниевых лент

Известно, что при обычной технологии получения кремниевых пластин теряется до двух третей исходного материала. При выращивании кремниевых лент потери кремния значительно ниже, что удешевляет стоимость подложек. Технологический процесс получения кремниевых лент включает в себя химическое осаждение из паровой фазы кремния на временную подложку, после отделения полученного слоя, подложка может быть вновь использована. Этим методом получают кремниевые подложки толщиной до 100-150 мкм.

Конец ознакомительного фрагмента.