Лекции по схемотехнике
Шрифт:
Кэш-память — быстродействующая память, которая может находиться внутри или вне процессора. Она предназначена для хранения копий информации, находящейся в более медленной основной памяти.
Оперативная память (RAM — Read Access Memory) или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — часть основной памяти ЭВМ, предназначенной для хранения быстро изменяемой информации. В ОЗУ хранятся программы пользователей промежуточные результаты вычислений.
Постоянная память (ROM — Read Only Memory — память только для чтения)
Специализированные виды памяти, например, видеопамять, предназначенная для хранения информации, отображаемой на экране дисплея и др.
Внешняя память — магнитные и оптические диски, FLASH-память, предназначенные для хранения больших объёмов информации.
6.2 Структурные схемы ЗУ
ЗУ адресного типа состоят из трёх основных блоков:
– Массив элементов памяти,
– Блок адресной выборки,
– Блок управления.
Многочисленные варианты ЗУ имеют много общего с точки зрения структурных схем. Общность структур особенно проявляется для статических ОЗУ и памяти ROM; для них характерны структуры 2D, 3D и 2DM.
В ЗУ, с информационной ёмкостью M, запоминающие элементы организованы в матрицу размерностью k·m:
M = k·m,
где k — количество хранимых слов,
m — их разрядность.
Дешифратор адресного кода имеет k выходов и активизирует одну из выходных линий, разрешая одновременный доступ ко всем элементам выбранной строки, хранящей слово.
Элементы каждого из столбцов соединены вертикальными разрядными линиями и хранят одноимённые биты всех слов.
Таким образом, при наличии разрешающего сигнала CS, выбранная дешифратором ячейка памяти подключается к разрядным шинам, по которым производится запись или считывание адресованного слова.
Структура типа 2D применяется лишь в ЗУ с малой информационной ёмкостью, т.к. при росте ёмкости усложняется дешифратор адреса. Например, при коде разрядностью n=8 дешифратор должен иметь 2n=256 выходов.
В структуре типа 3D выборка элемента памяти из массива производится по двум координатам. Код адреса разрядностью n делится на две половины и используются два дешифратора: по строкам и по столбцам. При этом число выходов двух дешифраторов равно 2n/2+2n/2=2n/2+1. Если n=8, то число выходов дешифраторов равно 24+24=32, а количество элементов памяти равно 2n/2·2n/2=2n=256. В структуре 2D-типа, как уже было отмечено выше, потребовался бы более сложный дешифратор на 256 выходов.
Таким образом, с помощью двух дешифраторов, имеющих небольшое число выходов, осуществляется доступ ко всем элементам памяти микросхемы.
Структура 3D может применяться и в ЗУ с многоразрядной
состоит из дешифратора, который выбирает целую строку. Однако, в отличие от структуры 2D, длина строки многократно превышает разрядность хранимых слов. При этом число строк уменьшается и, следовательно, уменьшается число выводов дешифратора.
Выбор строк матрицы памяти производится с помощью старших разрядов адреса An– 1…Ak. Остальные k разрядов используются для выбора необходимого m-разрядного слова из множества слов, содержащихся в строке.
Рисунок 66 Структура ЗУ типа 2DM для ROM
Это выполняется с помощью мультиплексоров, на адресные входы которых подаются коды Ak– 1…A0. Длина строки равна m·2k, где m — разрядность слов.
Из каждого отрезка строки, длиной 2k, мультиплексор выбирает один бит. На выходах m мультиплексоров формируется выходное m– разрядное слово. По разрешению сигнала CS, поступающего на входы OE управляемых буферов с тремя выходными состояниями, выходное слово передаётся на внешнюю шину.
6.3 Оперативные запоминающие устройства
6.3.1 Типы оперативных запоминающих устройств
В зависимости от способа хранения информации оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) подразделяются на статические и динамические. В статических ОЗУ (Static RAM — SRAM) запоминающими элементами являются триггеры, сохраняющие своё состояние, пока схема находится под питанием и нет новой записи данных.
В динамических ОЗУ (Dynamic RAM — DRAM) данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведёт к разрушению данных, поэтому они должны периодически (каждые несколько миллисекунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки достижимую в статических RAM.
Регенерация данных в статических ЗУ осуществляется с помощью специальных контроллеров. Разработаны также ЗУ с динамическими запоминающими элементами, имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов становится аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называются квазистатическими.
В целом динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной ёмкостью и невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная память ЭВМ.