Большая Советская Энциклопедия (ФО)
Шрифт:
Передача тональностей изображения в Ф. осуществляется путём изменения толщины слоя краски и размеров печатающих элементов, т. е. Ф. сочетает особенности глубокой печати и растровой. Для печати используются плоскопечатные машины, производительность которых до 1000 оттисков в смену; тиражеустойчивость формы около 1500 оттисков. Применяется также ротационная Ф. (как контактная, так и офсетная). В СССР разработаны состав и режим изготовления светочувствительного слоя на основе желатины, очувствлённой дихроматами, пригодного для использования в обычных офсетных однокрасочных машинах (см. Печатная машина ). В качестве основы печатной формы используются листы алюминия толщиной 0,6–0,8 мм, а также тонкая фольга (для печати на малоформатных офсетных машинах). Нанесение светочувствительного слоя механизировано; производительность машин до 5000 оттисков в смену; тиражеустойчивость формы – около 10 тыс. оттисков.
Ф. используется для воспроизведения с высокой точностью сложных художественных оригиналов (карандашные рисунки, фотографии, произведения масляной и
Лит.: Рудомётов М. Д., Опыт систематического курса по графическим искусствам, т, 1, СПБ, 1898; Котик Р. А., Павленко Л., Соколов П., Об идентичности оттисков при фототипии, «Полиграфия», 1974, №6.
Р. А. Котик.
Микрофотографии участков печатной формы (до нанесения краски): а — темные участки; б — светлые участки; 1 — углубления между складками; 2 — 2 складки.
Микрофотографии участков печатной формы (после нанесения краски): а — темные участки; б — светлые участки; 1 — краска.
Фототиристор
Фототири'стор,тиристор , перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Ф. в полупроводнике генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (см. Фотоэдс ). В результате через р – n– переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.
Конструктивно Ф. представляет собой светочувствительный монокристалл с р–n–р–n– cтруктурой, обычно из кремния , расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым n– эмиттером и с освещаемой р– базой.
Пригодные для управления Ф. источники излучения – электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды, квантовые генераторы и др. Величина светового потока, необходимого для перевода Ф. в состояние с высокой проводимостью, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также заданными значениями электрических параметров Ф.: напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т.д.
Современные Ф. изготовляют на токи от нескольких ма до 500 а и напряжения от нескольких десятков в до 3 кв. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм ) порядка 1–102мвт. Ф. находят применение в различных устройствах автоматического управления и защиты, а также в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах,
В. М. Курцин.
Фототранзистор
Фототранзи'стор,транзистор (обычно биполярный), в котором инжекция неравновесных носителей осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего ; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Ф. представляет собой монокристаллическую полупроводниковую пластину из Ge или Si, в которой при помощи особых технологических приёмов созданы 3 области, называемые, как и в обычном транзисторе, эмиттером, коллектором и базой, причём последняя, в отличие от транзистора, как правило, вывода не имеет. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф. во внешнюю электрическую цепь подобно включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим эмиттером и нулевым током базы. При попадании света на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению (усилению) тока через Ф. по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образовались непосредственно под действием света.
Основными параметрами и характеристиками Ф., как и др. фотоэлектрических приборов (например, фотоэлемента , фотодиода ), являются: 1) интегральная чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку), у лучших образцов Ф. (например, изготовленных по диффузионной планарной технологии ) она достигает 10 а/лм ; 2) спектральная характеристика (зависимость чувствительности к монохроматическому излучению от длины волны этого излучения), позволяющая, в частности, установить длинноволновую границу применимости Ф.; эта граница (зависящая прежде всего от ширины запрещенной зоны полупроводникового материала) для германиевого Ф. составляет 1,7 мкм, для кремниевого – 1,1 мкм; 3) постоянная времени (характеризующая
Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также его малые габариты и относительная простота конструкции позволяют широко использовать Ф. в системах контроля и автоматики – в качестве датчиков освещённости, элементов гальванической развязки и т.д. (см. Приёмники излучения , Приёмники света , Оптрон ). С 70-х гг. 20 в, разрабатываются полевые Ф. (аналоги полевых транзисторов ).
Лит.: Амброзяк А., Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов, пер. с польск., М., 1970.
Ю. А. Кузнецов.
Фототрансформатор
Фототрансформа'тор, прибор, позволяющий преобразовывать фотоснимок, полученный при наклонном положении оси фотоаппарата (например, при аэрофотосъёмке ) в горизонтальный аэроснимок заданного масштаба с целью составления фотоплана местности. На рис. 1 показана схема Ф.: Р – снимок, Е – горизонтальная (начальная) плоскость местности, a – угол наклона снимка, S – центр проекции, о – главная точка, J – главная точка схода, f – фокусное расстояние фотокамеры, S' – объектив, E' – экран. Изображение снимка на экране Ф. не будет отличаться от горизонтального снимка, если: 1) объектив находится в плоскости главного вертикала Q на дуге окружности с радиусом JS =
Лит. см. при ст. Фотограмметрия .
А. Н. Лобанов.
Рис. 2. Фототрансформатор Rectimat Цейса.
Рис. 1. Схема фототрансформатора.
Фототриангуляция
Фототриангуля'ция (от фото... и триангуляция ), метод определения координат точек местности по фотоснимкам. Назначением Ф. является сгущение геодезической сети с целью обеспечения снимков опорными точками, необходимыми для составления топографической карты , и решения ряда инженерных задач. Ф. может быть пространственной, если определяют все три координаты точек, или плановой, если определяют только две координаты, характеризующие положение точки в горизонтальной плоскости. Для пространственной Ф. необходимо построить общую модель местности, изобразившейся на данных снимках, и ориентировать её относительно геодезической системы координат (рис. 1 ).