КВ-приемник мирового уровня? Это очень просто!
Шрифт:
«А»: Удивительно, что изменение напряжения Uб-э буквально на несколько десятков милливольт (при фиксированном Uк-э) оказывает такое крутое влияние на величину коллекторного тока!
«С»: Но самое главное, что варьируя потенциал Uб-э ПО НАШЕЙ ВОЛЕ, схемотехнически, мы приступаем к овладению фантастическими возможностями транзистора!
«Н»: Однако, на семействе выходных характеристик отмечен и такой
«С»: Нет, Незнайкин, не ошибаешься! Наклон характеристики характеризуется отношением Iк/Uк-э. Существуют транзисторы, у которых этот наклон стремится к нулю! Или, можно сказать, отношение Uк-э/Iк — стремится к бесконечности!
Эта зависимость называется еще ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ ВЫХОДНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ и обозначается как rкэ(rсе).
rкэ = Uк/Iк | при Uб-э = const.
«Н»: А что представляет из себя параметр S?
«С»: Изменение коллекторного тока в зависимости от изменения напряжения база — эмиттер, получило определение КРУТИЗНА или S.
S = Iк/Uб-э| при Uк-э = const.
«А»: А теперь можем перейти к рассмотрению ПЕРЕДАТОЧНОЙ (переходной) ХАРАКТЕРИСТИКИ?
«С»: Вполне! Это очень наглядная характеристика, показывающая зависимость коллекторного тока от напряжения база — эмиттер. Но запомним, что при ФИКСИРОВАННОЕ Uк-э! Поскольку, если Uк-э варьируется, то в таком случае имеем СЕМЕЙСТВО переходных характеристик!
«Н»: Ну, а для чего тогда необходима ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА?
«С»: Для чувства комфорта, дорогой Незнайкин! В некоторых случаях удобно знать зависимость Uб-э от базового тока Iб. И, кроме того, при профессиональных расчетах параметров и режимов электронных узлов. Также для описания входной цепи транзистора как нагрузки, соединенной с входным источником напряжения, скажем…
При этом вводят такое понятие, как ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ:
rве(rбэ) = Uб-э/Iб | при Uк-э = const.
И, наконец, мы говорили, что B = Iк/Iб. Помните?
«А»:
«С»: А я именно потому и вернулся к этому вопросу! Повторение — мать учения! Итак, запишем:
= Iк/Iб; B = Iк/Iб
«Н»: А что, между ними есть разница?
«С»: Да как не быть? Вот типовая зависимость коэффициентов статического и динамического усиления по току от величины коллекторного тока для маломощного транзистора (см. рис. 13.9).
Кстати, уточним на всякий случай, что:
= Iк/Iб | при Uк-э = const!
«Н»: Ну, наконец, мы кое-что знаем о транзисторе!
«С»: Ты уверен? Информация к размышлению: полное количество параметров транзистора превышает СЕМЬСОТ!
«А»: Я не думал, что так много! Но ведь в практической схемотехнике применяется много меньше?
«С»: Немногим более двух десятков!.. Но, друзья мои, пора переходить к ВЫСОКОЧАСТОТНЫМ параметрам транзистора!
«А»: Насколько я знаю, существует частотная зависимость коэффициента усиления по току для реальных транзисторов. И она определяется не в последнюю очередь их технологическими параметрами. Такими, как толщина базы, площади р — n-переходов и все такое прочее.
Ну и, кроме того, наличием паразитных емкостей.
«С»: Абсолютно верно! Я бы только сказал, что технологические параметры определяют высокочастотные свойства транзисторов В ПЕРВУЮ ОЧЕРЕДЬ!
Полезно и даже необходимо принять во внимание еще несколько параметров. Например, f.
f — это частота, при которой коэффициент усиления транзистора по току уменьшается на 3 дБ. Наряду с f используется и частота fT. Это такая частота, при которой коэффициент усиления по току = 1. Они связаны следующим соотношением:
fT = •f
Употребляется еще и такой параметр, как fs — граничная частота крутизны транзистора:
fS = 10•f
Отмечают также и максимальную частоту генерации fmax, которая, примерно, вдвое выше, чем fT.
«А»: А что такое частота f?