КВ-приемник мирового уровня? Это очень просто!
Шрифт:
«А»: А они что, сильно отличаются по внешнему виду от характеристик биполярного транзистора?
«С»: Да нет, я бы не сказал! А, впрочем, судите сами: Здесь представлено семейство выходных характеристик jFET, передаточную характеристику которого мы рассматривали раньше (рис. 14.6).
«Н»: А пунктирная линия, обозначенная как Uси
«С»: Ну конечно же! А вот теперь перейдем, наконец, к MOSFET!
«А»: Я встречал в справочниках по МОП-транзисторам такие термины, как ВСТРОЕННЫЙ КАНАЛ и ИНДУЦИРОВАННЫЙ КАНАЛ.
«С»: Вот о них-то и пойдет сейчас речь! Обратимся к следующему рисунку. Здесь изображен МОП-транзистор (MOSFET) ОБОГАЩЕННОГО типа, имеющий, так называемый, ИНДУЦИРОВАННЫЙ канал (рис. 14.7).
«А»: Означает ли это, что при равенстве потенциалов истока и затвора ток через транзистор протекать не будет?
«С»: Безусловно! Более того, даже подавая на затвор незначительное положительное (относительно истока) напряжение, мы эту ситуацию изменить не в состоянии! MOSFET — заперт!
Но, как известно, электроникой занимаются очень настойчивые люди! Мы продолжаем повышать потенциал (см. рис. 14.7, б). Не торопясь, плавно… И в какой-то момент… появляется ток стока!
Это означает, что некоторый положительный потенциал затвора через диэлектрик SiО2 навел (или индуцировал) канал проводимости n– типа, по которому электроны «двинулись» от истока к стоку!
«А»: Напряжение, которое создает канал проводимости, должно превысить некоторую величину, называемую ПОРОГОВОЙ. Может изобразить это графически?
«С»: Что мы и сделаем (см. рис. 14.8)! Вот здесь представлена УПРАВЛЯЮЩАЯ или ПЕРЕДАТОЧНАЯ характеристика некоего MOSFET с индуцированным каналом, пороговое напряжение которого (Un) равно, примерно 2 вольта. Дальше, я полагаю, можно не продолжать?
«А»: Мне до сих пор попадались только р– канальные MOSFET.
«С»: Это действительно так. Наибольшее распространение получили именно р– канальные MOSFET с индуцированным каналом типа: КП301 и КП304. Для справки: их пороговые напряжения находятся в пределах 4–5 вольт! Выходные характеристики подобны уже рассмотренным для jFET.
«Н»: Вы еще ничего
«С»: Действительно, МОП-приборы снабжены четвертым электродом, получившем наименование ПОДЛОЖКА. Этот электрод в схемах обычно заземляется, чтобы мог индуцироваться канал проводимости. Вообще-то встречаются схемы, где подложка играет роль второго управляющего электрода. Варьирующего крутизну MOSFET. Но, к сожалению, только в сторону уменьшения…
«А»: Мы не рассмотрели еще MOSFET со ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ!
«С»: И совершенно напрасно, поскольку именно они в значительной степени «делают погоду» в схемотехнике радиоприемников! Добавим, что их возможности шире, чем у транзисторов с индуцированным каналом.
Да вот, посмотрите на рис. 14.9. Здесь представлена передаточная характеристика МОП-транзистора со встроенным n– каналом типа КП305Д.
«Н»: Выходит, что даже при Uзи = 0 В обеспечивается ток стока равный приблизительно 5 мА!
«А»: Обрати внимание на точку «А». Это и есть значение Uотс для рассматриваемого транзистора. В свою очередь точки «В» и «Д» определяют размах КВАДРАТИЧНОГО УЧАСТКА ХАРАКТЕРИСТИКИ MOSFET КП305Д. Это не передаточная характеристика, а просто мечта поэта.
«Н»: Меня немного смущает только один нюанс…
«С»: Я внимательно слушаю тебя, наш юный друг. Что за нюанс?
«Н»: Обычно, когда вы ранее упоминали, пусть вкратце, о конкретных типах транзисторов, то речь шла о типе транзистора, но не о его буквенном индексе… Но сейчас…
«С»: А ты наблюдательный человек, Незнайкин! Тебя смутило, почему я дал передаточную характеристику именно для КП305Д, а не просто для КП305?
«Н»: Да. Кстати, сколько вообще буквенных индексов у этого транзистора?
«С»: У КП305 — четыре буквенных индекса: Д; Е; Ж; И. Должен признать, Незнайкин, что ты задал очень важный вопрос. Поэтому, для ответа на него, я предлагаю вашему вниманию следующий рисунок. Ну как? Хорошо видна разница между буквенными индексами (см. рис. 14.10)?
«А»: Еще как! Но ведь это, помимо всего прочего, означает, что для большинства конкретных применений транзисторы КП305, имеющие различные буквенные индексы НЕ ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМЫ!
«С»: Отличный вывод! Да, для различных индексов существует РАЗЛИЧНАЯ сфера применений. Как правило, «жонглирование» индексами эти транзисторы, как и многие другие, не допускают! А вообще это очень неплохие MOSFET, предназначенные для применения в малошумящих УВЧ в частотном диапазоне до 250 МГц!
«А»: Поскольку семейство выходных характеристик каких-либо аномалий не имеет, стоит ли их рассматривать?
«С»: Это необязательно. Но вот Что крайне важно, так это обсудить вопросы соблюдения правил безопасности при работе с MOSFET!