Лекции по схемотехнике

Автор неизвестен

При переключении имеются промежутки времени, когда оба транзистора VT3 и VT4 открыты и возникают броски тока. Для ограничения амплитуды этого тока в схему включают резистор с небольшим сопротивлением (R₃=100–160 Ом). 

При отрицательном напряжении на эмиттерах МЭТ большем 2 В развивается туннельный пробой и входной ток резко увеличивается. Для защиты ЛЭ от воздействия отрицательной помехи в схему введены диоды VD2, VD3, которые ограничивают её на уровне 0,5–0,6В.

При положительном напряжении больше (4–4,5) В входной ток также увеличивается, поэтому для подачи на входы ЛЭ лог. «1» нельзя подключать входы к напряжению питания +5 В. 

При практическом применении ЛЭ ТТЛ неиспользованные входы можно оставлять свободными. Однако при этом снижается помехоустойчивость из-за воздействия наводок на свободные выводы. Поэтому их обычно или объединяют между собой, если это не ведёт к превышению для предшествующего ЛЭ, или подключают к источнику питания +5 В через резистор R=1 кОм, ограничивающий входной ток. К каждому резистору можно подключать до 20 входов. Таким методом уровень лог. «1» создаётся искусственно.

Помехоустойчивость

элемента ТТЛ со сложным инвертором:

U⁺_пом = U¹_пор – U⁰ = 2U_БЭ.нас – 2U_КЭ.нас

U^–_пом = U¹ – U¹_пор = E – 4U_БЭ.нас + U_КЭ.нас

Быстродействие элементов ТТЛ, определяемое временем задержки распространения сигнала при включении t^1,0_зад.р и выключении t^0,1_зад.р, зависит от длительности процессов накопления и рассасывания неосновных носителей в базах транзисторов, перезарядки емкостей коллекторных СК и эмиттерных СЭ ёмкостей переходов. Поскольку при работе элемента ТТЛ открытые транзисторы находятся в состоянии насыщения, то существенный вклад в увеличение инерционности ТТЛ вносит время рассасывания неосновных носителей при запирании транзисторов.

Элементы ТТЛ со сложным инвертором имеют большой логический перепад, малую потребляемую мощность, высокое быстродействие и помехоустойчивость. Типичные значения параметров ТТЛ следующие: U_пит=5 В; U¹>=2,8 В; U⁰<=0,5 В; t_зд.ср=10…20 нс; P_пот.ср=10…20 мВт; K_раз=10.

При практическом применении ЛЭ ТТЛ неиспользованные входы можно оставлять свободными. Однако при этом снижается помехоустойчивость из-за воздействия наводок на свободные выводы. Поэтому их обычно или объединяют между собой, если это не ведёт к превышению для предшествующего ЛЭ, или подключают к источнику питания +5 В через резистор R=1 кОм, ограничивающий входной ток. К каждому резистору можно подключать до 20 входов.

3.2.3 Элементы ТТЛШ

С целью увеличения быстродействия элементов ТТЛ, в элементах ТТЛШ используются транзисторы Шотки, представляющие собой сочетание обычного транзистора и диода Шотки, включённого между базой и коллектором транзистора. Поскольку падение напряжения на диоде Шотки в открытом состоянии меньше, чем на обычном p-n-переходе, то большая часть входного тока протекает через диод и только его малая доля втекает в базу. Поэтому транзистор не входит в режим глубокого насыщения. 

Следовательно, накопление носителей в базе из-за их инжекции через коллекторный переход практически не происходит. В связи с этим имеет место увеличение быстродействия транзисторного ключа с барьером Шотки в результате уменьшения времени нарастания тока коллектора при включении и времени рассасывания при выключении.

Среднее время задержки распространения сигнала элементов ТТЛ с диодами Шотки (ТТЛШ) примерно в два раза меньше по сравнению с аналогичными элементами ТТЛ. Недостатком ТТЛШ является меньшая по сравнению с аналогичными элементами ТТЛ помехоустойчивость U⁺_пом из-за большего значения U⁰ и меньшего U_пор.

3.2.4 Элементы ТТЛ с тремя выходными состояниями — 

имеют дополнительный вход V — вход разрешения (рисунок 13,а). При подаче на этот вход напряжения U⁰ транзистор VT5 открыт и насыщен, а транзисторы VT6 и VT7 закрыты и поэтому не влияют на работу логического элемента. В зависимости от комбинации сигналов на информационных входах на выходе ЛЭ может быть сигнал с уровнем «лог. 0» или «лог. 1». При подаче на вход V напряжения с уровнем «лог. 1» транзистор VT5 закрывается, а транзисторы VT6 и VT7 открываются, напряжение на базе транзистора VT3 уменьшается до уровня U_БЭ.нас+U_д, транзисторы VT2, VT3, VT4 закрываются и ЛЭ переходит в высокоимпедансное (третье) состояние, то есть отключается от нагрузки.

На рисунке 13,б показано УГО этого элемента. Значок указывает на то, что выход имеет три состояния. Значок E «Разрешение

третьего состояния» указывает, что сигналом

=0 ЛЭ переводится в третье (высокоомное) состояние.

Для уменьшения помех по цепи питания в точках подключения к шинам групп ЛЭ устанавливают развязывающие керамические конденсаторы ёмкостью порядка 0,1 мкФ на один корпус. На каждой плате между цепью питания и общей шиной 1–2 электролитических конденсатора ёмкостью 4,7–10 мкФ.

Рисунок 13 Логический элемент ТТЛ И-НЕ с тремя выходными состояниями а) и его УГО б).

В таблице 7 приведены параметры некоторых серий ЛЭ ТТЛ.

Таблица 7 Параметры некоторых серий логических элементов ТТЛ

ПАРАМЕТРЫ	СЕРИИ
Универсальные	Высокого быстродействия	Микромощные
133, 155	К531	КР1531	К555	Кр1533
Входной ток I0ВХ, мА	– 1,6	– 2,0	– 0,6	– 0,36	– 0,2
Входной ток I1ВХ, мА	0,04	0,05	0,02	0,02	0,02
Выходное напряжение U0ВЫХ, В	0,4	0,5	0,5	0,5	0,4
Выходное напряжение U1ВЫХ, В	2,4	2,7	2,7	2,7	2,5
Коэффициент разветвления по выходу KРАЗ	10	10	10	20	20
Коэффициент объединения по входу KОБ	8	10	—	20	—
Время задержки распространения сигнала tЗАД.ср	19	4,8	3,8	20	20
Потребляемый ток, мА:
I0ПОТ (при U0ВЫХ)	22	36	10,2	4,4	3
I1ПОТ (при U1ВЫХ)	8	16	2,8	1,6	0,85
Допустимое напряжение помехи, В	0,4	0,3	0,3	0,3	0,4
Напряжение питания, В	5	5	5	5	5
Выходные токи, мА:
I 0 ВЫХ	16	20	20	8	4
I 1 ВЫХ	– 0,4	– 1	– 1	– 0,4	– 0,4
Средняя потребляемая мощность на элемент, мВт	10	19	4	2	1,2