Большая Советская Энциклопедия (ЭЛ)
Шрифт:
Для ЕС ЭВМ характерны программная совместимость (возможность выполнения программы, составленной для одной модели ЕС ЭВМ, на др. моделях системы), расширенная номенклатура периферийных устройств и развитая система. Программная совместимость достигается единством принципов построения всех ЭВМ, общей системой кодирования данных и единым составом инструкций; это позволяет иметь общую операционную систему и составлять программы, не ориентированные на конкретную ЭВМ системы. Аппаратные и программные средства обеспечивают работу ЭВМ в режимах мультипрограммном, пакетной обработки, реального масштаба времени, диалоговом, с разделением времени, а также в режиме «запрос — ответ ».
Все ЭВМ единой системы построены по модульному принципу на основе стандартной системы связей между устройствами. Такое конструктивное решение обеспечивает однородность и преемственность технических средств ЕС ЭВМ, позволяет создавать вычислительные системы различной конфигурации с изменением её в процессе эксплуатации, повышать производительность путём замены центрального процессора другим процессором из набора ЕС ЭВМ, расширять объём оперативной памяти и состав периферийных устройств.
ЕС ЭВМ постоянно совершенствуется и развивается; в 1977—78 в стадии разработки и освоения находятся ещё 6
Ядром каждой ЭВМ является процессор, состоящий из центрального устройства управления (ЦУУ), арифметико-логического устройства (АЛУ) и оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) (конструктивно ОЗУ может либо входить в состав процессора либо представлять собой самостоятельное устройство). Процессоры имеют систему прерываний программы и позволяют осуществлять многопрограммную работу ЭВМ, а также совместную работу периферийных устройств. Обмен данными между процессором и периферийными устройствами производится через селекторные и мультиплексные каналы. Сопряжение устройств управления с каналами обеспечивается стандартной системой связей с унифицированными конструктивными и логическими элементами и стандартизованными сигналами.
В состав периферийного оборудования входят запоминающие устройства: на магнитных барабанах (ёмкостью 2 и 16 Мбайт), на постоянных (несменяемых) магнитных дисках (100 Мбайт), со сменными пакетами магнитных дисков (7,25 и 29 Мбайт), на магнитных лентах (20—40 Мбайт) и на магнитных картах (125 Мбайт); устройства ввода — вывода данных: на перфолентах (скорость ввода 1000 и 1500 строк в сек, вывода — 100, 150, 200 строк в сек ), на перфокартах (ввод — 500, 1000, 1500, 2000 карт в мин, вывод— 100, 250 карт в мин ); алфавитно-цифровые печатающие устройства (скорость печати 600, 900 и 1100 строк в мин ), планшетные и рулонные графопостроители; устройства непосредственной связи человека-оператора с ЭВМ (алфавитно-цифровые и графические дисплеи, электрические пишущие машины). Отдельную группу составляют устройства подготовки данных.
Для создания вычислительных систем коллективного пользования (см. Сеть вычислительных центров ) в составе ЕС ЭВМ имеются средства телеобработки данных, в том числе аппаратура передачи данных (модемы, устройства защиты от ошибок, вызывные устройства), устройства сопряжения каналов с аппаратурой передачи данных, абонентские пункты (терминалы ), оснащенные устройствами ввода — вывода информации и её отображения. Программное обеспечение ЕС ЭВМ реализуется в виде операционных систем, которые обеспечивают эффективное функционирование ЭВМ независимо от её конфигурации и характера решаемых задач, управляют прохождением заданий, повышают производительность ЭВМ за счёт реализации различных режимов её работы (например, мультипрограммного), распределяют вычислительные ресурсы между выполняемыми программами, контролируют работу технических средств. На основе ЕС ЭВМ можно создавать многопроцессорные н многомашинные комплексы для решения разнообразных задач в области организации, управления, планирования и учёта, обработки и анализа больших массивов информации, научных, технических и инженерных расчётов и т. д.
Основные характеристики ЭВМ единой системы
| Параметры ЭВМ | Тип ЭВМ, страна-изготовитель, год разработки | |||||||||
| ЕС-1010 | ЕС-1020 | ЕС-1021 | ЕС-1030 | ЕС-1040 | ЕС-1050 | ЕС-1022 | ЕС-1032 | ЕС-1033 | ЕС-1060 | |
| ВНР, 1972 | СССР, 1971 | ЧССР, 1972 | СССР, ПНР, 1971 | ГДР, 1971 | СССР, 1972 | СССР, 1975 | ПНР, 1975 | СССР, 1977 | СССР, 1977 | |
| Процессор: | ||||||||||
| производительность, тыс. операций в 1 сек | 10 | 20 | 40 | 100 | 350 | 500 | 80 | 200 | 200 | 2000 |
| разрядность | 18 | 8 | 64 | 32 | 64 | 64 | 8 | 32 | 32 | 64 |
| Оперативная память: | ||||||||||
| ёмкость, кбайт | 8—64 | 64—256 | 16—64 | 256—512 | 128—1024 | 256—1024 | 128—512 | 128—1054 | 512—1024 | 2048—8192 |
| цикл обращения, мксек | 1,0 | 2,0 | 2 | 1,25 | 1,00 | 1,25 | 2 | 1,2 | 1,25 | 0,65 |
| Селекторные каналы: | ||||||||||
|
| 1 | 2 | 2 | 3 | 6 | 6 | 2 | 3 | 3 | 2 |
| скорость передачи, кбайт/сек | 200 | 800 | 250 | 800 | 1250 | 1250 | 500 | 1100 | 800 | 1300 |
| Мультиплексный канал: скорость передачи, кбайт/сек : | ||||||||||
| монопольный режим | 200 | 100 | 220 | 300 | 670 | 670 | 300 | 470 | 350 | 670 |
| мультиплексный режим | 30 | 16 | 35 | 40 | 110 | 110 | 40 | 145 | 70 | 110 |
| число разделённых подканалов | 135 | 128 | 128 | 128 | 192 | 192 | 128 | 196 | 256 | 224 |
| Потребляемая мощность, ква | 12 | 21 | 13 | 27 | 60 | 100 | 25 | 23 | 25 | 80 |
Лит.: Шелихов А. А., Селиванов Ю. П., Вычислительные машины, М., 1973; Единая система ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1974; Система документации единой системы ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1975.
В. Н. Квасницкий.
Электронограф
Электроно'граф, прибор для исследования атомного строения твёрдых тел и газовых молекул с помощью дифракции электронов (см. Электронография ). Э. — вакуумный прибор, его схема аналогична схеме электронных микроскопов . В колонне, основном узле Э., электроны, испускаемые катодом — раскалённой вольфрамовой нитью, разгоняются высоким напряжением (20—1000 кв — быстрые электроны и до 1 кв — медленные электроны). С помощью диафрагм и магнитных линз формируется узкий электронный пучок, который направляется в камеру объектов на исследуемый образец, установленный на специальном столике. Рассеянные электроны попадают в фотокамеру и на фотопластинке (или экране) создаётся дифракционная картина (электронограмма), которую можно рассматривать как визуально, так и с помощью вмонтированного в Э. микроскопа. Э. снабжают различными устройствами для нагревания, охлаждения, испарения образца, для его деформации и т. д.
Э. включает в себя также вакуумную систему и блок электропитания, который содержит источники накала катода, высокого напряжения, питания электромагнитных линз и различных устройств, расположенных в камере объектов. Питающее устройство обеспечивает изменение ускоряющего напряжения по ступеням (например, в Э. «ЭР-100» 4 ступени: 25, 50, 75 и 100 кв ). Разрешающая способность Э. составляет тысячные доли и зависит от энергии электронов, сечения электронного пучка и расстояния от образца до экрана, которое в современных Э. может изменяться в пределах 200—600 мм. В конструкции Э. предусмотрена система непосредственной регистрации интенсивности рассеянных электронов с помощью цилиндра Фарадея или вторичного электронного умножителя открытого типа.
В приборе, предназначенном для исследования дифракции медленных электронов, требуется поддерживать в колонне вакуум 10– 8 —10– 9мм рт. ст.
Лит.: Кушнир Ю. М., Алексеев Н. В., Левкин Н. П., Современные электронографы, «Приборы и техника эксперимента», 1967, № 1; Дворянкин В. Ф., Митягин А. Ю., Дифракция медленных электронов — метод исследования атомной структуры поверхностей, «Кристаллография», 1967, т. 12, в. 6. См. также лит. к ст. Электронография .
Р. М. Имамов.
Электронография
Электроногра'фия (от электрон и ...графия ), метод изучения структуры вещества, основанный на рассеянии ускоренных электронов исследуемым образцом. Применяется для изучения атомной структуры кристаллов, аморфных тел и жидкостей, молекул в газах и парах. Физическая основа Э. — дифракция электронов (см. Дифракция частиц ); при прохождении через вещество электроны, обладающие волновыми свойствами (см. Корпускулярно-волновой дуализм ), взаимодействуют с атомами, в результате чего образуются отдельные дифрагированные пучки. Интенсивности и пространственное распределение этих пучков находятся в строгом соответствии с атомной структурой образца, размерами и ориентацией отдельных кристалликов и другими структурными параметрами. Рассеяние электронов в веществе определяется электростатическим потенциалом атомов, максимумы которого в кристалле отвечают положениям атомных ядер.